Samsung Electronics представи ново високопроизводително SSD-устройство с обем от половин терабйт. Благодарение на използвания 32 GB чип, произведен по нормите на 30-nm технологичен процес и трето поколение интерфейс SATA са достигнати отлични показатели на скоростите за последователно четене и запис, които са на ниво 250 Мб/с и 220 Мб/с съответно, което три пъти превъзхожда производителността на съвременните магнитни дискове.

Едновременно с всички по-горе изброени показатели е налице и не високо ниво на енергопотреблението, което е съпоставимо с 256 GB носител, базиран на 40 или 16-nm чип NAND. Това става възможно в резултат на използвания контролер, проследяващ режима на използване на устройството и по предпочитание на потребителя може автоматично да включва или изключва икономичния режим.

В новия SSD ще се използва 256-битово шифроване AES, позволяващо защита на данните от нежелан достъп от Интернет или в случай на непредвиден достъп на устройството в чужди ръце.

Масовото производство на транзисторния носител Samsung 512GB SSD ще стартира през следващия месец.