| Intel разработи флаш-паметта 3BPC (three bit-per-cell) NAND |
|
|
| Написано от V I P E R |
| Сряда, 18 Август 2010 16:43 |
|
Компанията Intel разработи нова флаш-памет 3BPC (three bit-per-cell) NAND. Устройството е изготвено по нормите на 25-nm технологичен процес. В отличие от съществуващите до този момент типове памет NAND, новата разработка позволява възможност за съхранение на три бита данни в една клетка, което позволява създаването на по-капацитивен чип памет с малки размери. Така, по информация на Intel, микросхемата 3BPC е с капацитет от 8 GB и притежава размери с 20% по-малки, в сравнение със съществуващите аналози с подобен капацитет и произведени по нормите на този технологичен процес.
Другото, което се отбелязва е, че новата разработка ще притежава няколко недостатъка. В частност, нейната производителност ще бъде на по-ниско ниво, от паметта MLC (multi-levell-cell) NAND. Паметта 3BPC не е вечна, както съществуващите типове памет NAND. Точно поради тази причина, новата разработка не се прилага в твърдите носители на информация, за които параметрите за надеждност, дълъг живот и производителност са достатъчно актуални. Чиповете памет 3BPC NAND могат да се използват в мултимедийните плейъри, смартфони, карти памет и USB флаш-носители. Съобщава се, че някои клиенти на Intel вече разполагат с мостри на чиповете флаш-памет 3BPC NAND, а пускането в продажба на устройства базирани на тази памет, ще стане до края на годината. |




