Компанията Innovative Silicon Inc (ISi), заяви за двете си големи открития в своята технология за памет Z-RAM (zero-capacitor RAM). Да ви припомним, че Z-RAM се отличава от традиционните памети с липсата на кондензатори за съхранение на информацията. Записването и съхранението на данните в тази технология са базирани на така наречения ефект на “плаващото тяло” (FB, floating body).

Инженерите от ISi са успели да намалят захранващото напрежение на Z-RAM до ниво под 1 волт. Това е най-ниската стойност сред други технологии с „плаващи тела”. Новото постижение е дало възможност за първи път да сравнят показателите на FB паметта с традиционната DRAM. Вторият пробив е реализацията на Z-RAM на базата на много силиций с използването на триизмерни (плоски) транзистори, които широко се използват при производството на DRAM памети. Това дава възможност да се отхвърли използването субстрати SOI (силиций върху изолатор), които са по-скъпи.

Обновяването на технологията Z-RAM е реализирана в тестов чип от компанията Hynix Semiconductor. Както отбелязва ISi, този чип има големи шансове да замени традиционните памети и ще се продава на по-ниска цена, в сравнение с всяка DRAM технология, в които са използва 40nm технологичен процес и по-малко. Z-RAM може да се сравни с DRAM по енергопотреблението и скоростта.

Както отбелязва президентът и главният изпълнителен директор на Innovative Silicon, Mark-Eric Jones, DRAM е била основната технология за паметите в продължение на четиридесет години и е време да се даде път на по-добрите безкондензаторни Z-RAM. Представителите на Hynix Semiconductor считат, че ISi успя да отстрани недостатъците и преодоля основните пречи, които стоят на пътя на всички технологии с „плаващи тела”